上海交通大学微纳电子学系BiCASL实验室博士生刘博晓参加了在美国旧金山举办的国际固态电路会议 (ISSCC 2019)学术会议
Abstract:
2019年2月19日,上海交通大学微纳电子学系BiCASL实验室博士生刘博晓参加了在美国旧金山举办的国际固态电路会议 (ISSCC 2019)学术会议
2019年2月19日,上海交通大学微纳电子学系BiCASL实验室博士生刘博晓参加了在美国旧金山举办的国际固态电路会议 (ISSCC 2019)学术会议。在会议上,刘博晓就他的论文“A 13-Channel 1.53-mW 11.28-mm2 Electrical Impedance Tomography SoC Based on Frequency Division Multiplexing with 10x Throughput Reduction”做了报告演讲。ISSCC是世界学术界和工业界公认的集成电路领域最高级别会议,被誉为Chip Olympics(芯片奥林匹克)。该论文是上海交通大学首次以第一作者单位在该会议正文单元上发表的论文。
刘博晓同学的论文展示了一款基于频分多路复用的电阻抗成像片上系统。该芯片支持13通道同相正交电压采集,是目前集成度最高的阻抗测量系统。同时,相比于业界最先进技术指标,该芯片将每通道功耗降低了18%,将每通道芯片面积降低了63%。芯片实现的无辐射连续断层成像,在医疗监测成像领域有广阔的应用前景。